ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFBC20SPBF, Транзистор N-МОП 600В 2,2A 50Вт D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFBC20SPBF, Транзистор N-МОП 600В 2,2A 50Вт D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFBC20SPBF, Транзистор N-МОП 600В 2,2A 50Вт D2PAK
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-Chan 600V 2.2 Amp
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFBC20SPBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2170204
Технические параметры
Вес, г
1.48
Brand
Vishay
Mounting Type
Surface Mount
Ширина
9.65 mm
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
IRFBC
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Длина
10.67 mm
Высота
4.83 mm
Вид монтажа
SMD/SMT
Упаковка / блок
TO-263-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
IRFBC20 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
D2PAK
Упаковка
Tube
Технология
Si
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Страна происхождения
CN
Техническая документация
Datasheet IRFBC20SPBF , pdf
, 326 КБ
Datasheet , pdf
, 326 КБ
Datasheet IRFBC20SPBF , pdf
, 325 КБ