SBC856BDW1T1G, Транзистор PNP, биполярный, -65В, -0,1А, 380мВт, SOT363, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Биполярные транзисторы - BJT SS SC-88 GP XSTR PNP 65V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

SBC856BDW1T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2170154

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.02

Base Product Number

SBC856 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

380mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Number of Elements per Chip

Pin Count

Minimum DC Current Gain

220@2mA@5V

Pd - рассеивание мощности

380 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC856B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-363-6

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

475

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Configuration

Dual

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.1

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

380

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

Supplier Package

SC-88

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.9

Package Length

Package Width

1.25

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Supplier Temperature Grade

Automotive

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 157 КБ
Datasheet , pdf , 83 КБ
Datasheet SBC856BDW1T1G , pdf , 156 КБ

SBC856BDW1T1G, Транзистор PNP, биполярный, -65В, -0,1А, 380мВт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация