TK40E10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 40А, 126Вт, TO220AB, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзисторы, Toshiba

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK40E10N1,S1X(S

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2170082

Технические параметры

Вес, г

1.97

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.16мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Toshiba

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.45мм

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220

Width

4.45мм

Pin Count

Серия

Длина

10.16мм

Высота

15.1мм

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

90 А

Максимальное рассеяние мощности

126 Вт

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

90 А

Maximum Power Dissipation

126 W

Series

Maximum Drain Source Resistance

8.2 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

49 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 256 КБ

TK40E10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 40А, 126Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.

Техническая документация