IRFS9N60APBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, D2PAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFS9N60APBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2169842

Технические параметры

Вес, г

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

9.65мм

Height

4.83мм

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

D2PAK (TO-263)

Pin Count

Длина

10.67мм

Высота

4.83мм

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

IRFS9 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

9.2 A

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

750 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1400 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 5.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки включения

13 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

49 nC @ 10 V

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

9.2A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

170W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 226 КБ
Datasheet IRFS9N60APBF , pdf , 224 КБ

IRFS9N60APBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 5,8А, 170Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация