ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJ11012G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 30А, 200Вт, TO3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJ11012G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 30А, 200Вт, TO3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJ11012G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 60В, 30А, 200Вт, TO3
Последняя цена
890 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJ11012G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2169840
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+200 °C
Вес, г
2
Base Product Number
MJ11012 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
4MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 200В°C (TJ)
Package
Tray
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Power - Max
200W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
21.08 (Dia.) x 8.51мм
Высота
8.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
200 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
2
Тип корпуса
TO-204AA
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
5 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 116 КБ
Datasheet , pdf
, 169 КБ