FDS8870, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 18А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 30V N-Ch PowerTrench МОП-транзистор

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDS8870

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2168823

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.11

Ширина

3.9 mm

Конфигурация

Single Quad Drain Triple Source

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

FDS8870

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

4.9 mm

Высота

1.75 mm

Id - непрерывный ток утечки

18 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SO-8

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.2 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

48 ns

Время спада

21 ns

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

9 ns

Другие названия товара №

FDS8870_NL

Техническая документация

FDS8870_D-2313227 , pdf , 479 КБ
Datasheet FDS8870 , pdf , 463 КБ
Datasheet FDS8870 , pdf , 479 КБ

FDS8870, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 18А, 2,5Вт, SO8, PowerTrench® - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация