ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BDX33CG, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 70Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BDX33CG, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 70Вт, TO22…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BDX33CG, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 70Вт, TO220AB
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BDX33CG
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2168284
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2.02
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.28 x 4.82 x 9.28мм
Pd - рассеивание мощности
40 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
9.28мм
Длина
10.28мм
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
750
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Максимальный ток отсечки коллектора
1000 uA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
BDX33C
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.82мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220AB
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
750
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 92 КБ
Datasheet , pdf
, 95 КБ