BC 850CW H6327, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 41 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2167251

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.005

Pd - рассеивание мощности

330 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC850

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-323-3

Другие названия товара №

BC85CWH6327XT SP000747418 BC850CWH6327XTSA1

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

800

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 886 КБ

BC 850CW H6327 - характеристики, поставщики

Последняя цена 41 руб.

Техническая документация