MMUN2234LT1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 11 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMUN2234LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2166516

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.02

Base Product Number

MMUN2234 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

246mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V dc

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

400 мВт

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

100mA

Height

1.01мм

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

246mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

246 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.01мм

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Одиночный

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMUN2234L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

Максимальное рассеяние мощности

400 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V dc

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Maximum Continuous Collector Current

100 мА

Automotive Standard

AEC-Q101

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

22 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

0.47

Resistor - Base (R1)

22 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 129 КБ
Datasheet , pdf , 387 КБ
Datasheet , pdf , 383 КБ

MMUN2234LT1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 11 руб.

Техническая документация