STW20NM60FD, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 12,6А, 214Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 590 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой МОП-транзистор FDmesh ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW20NM60FD

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2165883

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

4.51

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.75мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Ширина

5.15мм

Height

20.15мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

5.15мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

FDmesh

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

15.75мм

Высота

20.15мм

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STW20 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное рассеяние мощности

214 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

290 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1300 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

290 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 10A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

20 А

Series

FDmeshв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

290 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

37 nC

Время нарастания

12 ns

Время спада

22 ns

Коммерческое обозначение

FDmesh

Типичное время задержки при включении

25 ns

Типичное время задержки включения

25 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

37 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 338 КБ
Datasheet , pdf , 338 КБ

STW20NM60FD, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 12,6А, 214Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 590 руб.

Техническая документация