IPW65R190C7XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 13А, 72Вт, PG-TO247, CoolMOS™, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW65R190C7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2165572

Технические параметры

Вес, г

6.16

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

21.1мм

Height

5.21mm

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-247

Width

21.1mm

Pin Count

Серия

CoolMOS C7

Высота

5.21мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

72 Вт

Максимальное напряжение сток-исток

700 В

Материал транзистора

Кремний

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Power Dissipation

72 W

Series

CoolMOS C7

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

23 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Forward Diode Voltage

0.9V

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Прямое напряжение диода

0.9V

IPW65R190C7XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 13А, 72Вт, PG-TO247, CoolMOS™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.