ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXMP6A16KTC - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXMP6A16KTC
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZXMP6A16KTC
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор P-Chan 60V МОП-транзистор (UMOS)
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2165283
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
4
Ширина
6.22 mm
Высота
2.39 mm
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное сопротивление сток-исток
125 мΩ
Pin Count
3
Тип канала
P
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Id - непрерывный ток утечки
8.2 A
Pd - рассеивание мощности
9.76 W
Qg - заряд затвора
24.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
4.1 ns
Время спада
10 ns
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
7.2 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
ZXMP6A
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
35 ns
Типичное время задержки при включении
3.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
TO-252-3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
12,1 нКл при 5 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
8,2 A
Maximum Power Dissipation
9,76 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.39мм
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
8.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
85@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
9760
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1021@30V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
24.2@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
24.2
Typical Fall Time (ns)
10
Typical Rise Time (ns)
4.1
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
35
Typical Turn-On Delay Time (ns)
3.5
Automotive
Yes
Military
No
Package Height
2.39(Max)
Package Length
6.73(Max)
Package Width
6.22(Max)
Tab
Tab
Process Technology
TMOS
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet ZXMP6A16KTC , pdf
, 561 КБ
Datasheet ZXMP6A16KTC , pdf
, 570 КБ
Datasheet ZXMP6A16KTC , pdf
, 554 КБ
