ZXMN4A06GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 5,6А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 40V 5A (Ta) 2W (Ta) поверхностный монтаж SOT-223

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN4A06GTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2164754

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Тип корпуса

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Число контактов

3+Tab

Конфигурация

Single Dual Drain

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMN4A

Тип

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

6.7мм

Высота

1.8мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Id - непрерывный ток утечки

7 A

Pd - рассеивание мощности

3.9 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8.7 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

770 пФ при 40 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

50 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 40V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

Qg - заряд затвора

18.2 nC

Время нарастания

4.45 ns

Время спада

7.35 ns

Типичное время задержки выключения

28,61 нс

Типичное время задержки при включении

2.55 ns

Типичное время задержки включения

2,55 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18,2 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet ZXMN4A06GTA , pdf , 672 КБ
Datasheet ZXMN4A06GTA , pdf , 677 КБ

ZXMN4A06GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 5,6А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация