ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP56.115, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 640мВт, SOT223 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCP56.115, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 640мВт, SOT223
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP56.115, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 640мВт, SOT223
Последняя цена
39 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
NPN-транзисторы общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BCP56.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2163871
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.14
Base Product Number
BCP56 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
180MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
960mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1.2A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
1W
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Pd - рассеивание мощности
960 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.7мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7мм
Другие названия товара №
BCP56 T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
63 at 5 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
180 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
960 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
180 MHz
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
BCP56_BCX56_BC56PA , pdf
, 1114 КБ
Datasheet , pdf
, 1739 КБ
Datasheet , pdf
, 1125 КБ