ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKP08N65H5, Транзистор БТИЗ 600В 40A 170Вт TO220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKP08N65H5, Транзистор БТИЗ 600В 40A 170Вт TO220
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKP08N65H5, Транзистор БТИЗ 600В 40A 170Вт TO220
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKP08N65H5XKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2163564
Технические параметры
Base Product Number
IKP08N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220-3
Pin Count
3
Channel Type
N
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
18A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24A
Gate Charge
22nC
Power - Max
70W
Switching Energy
70ВµJ (on), 30ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
11ns/115ns
Test Condition
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Reverse Recovery Time (trr)
40ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Конфигурация
Single
Configuration
Single
Вес, г
2.03
Packaging
Tube
Pd - рассеивание мощности
70 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
18 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
500
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Другие названия товара №
IKP08N65H5 SP001001716
Серия
TRENCHSTOP 5 H5
Технология
Si
Series
TrenchStopВ® ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
650
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.65
Maximum Continuous Collector Current (A)
18
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.1
Maximum Power Dissipation (mW)
70000
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Automotive
No
Supplier Package
TO-220
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.25
Package Length
10
Package Width
4.4
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
HTS
8541.29.00.95
Техническая документация
Datasheet IKP08N65H5XKSA1 , pdf
, 2276 КБ
Datasheet IKP08N65H5XKSA1 , pdf
, 2250 КБ