ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SMMBTA06LT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
SMMBTA06LT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
SMMBTA06LT1G
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2163228
Технические параметры
Вес, г
0.05
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04мм
Maximum Collector Base Voltage
80 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
225 мВт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
2.64мм
Maximum DC Collector Current
500 mA
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 2.64 x 1.11mm
Maximum Emitter Base Voltage
4 V
Minimum DC Current Gain
100
Высота
1.11mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V dc
Automotive Standard
AEC-Q101
