ZXTP2012ZTA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 4,3А, 1,5Вт, SOT89, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD

Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXTP2012ZTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2163119

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.11

Base Product Number

ZXTP2012 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

4.3A

Current - Collector Cutoff (Max)

20nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

120MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89-3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

215mV @ 500mA, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum DC Collector Current

4.3A

Pin Count

Minimum DC Current Gain

100@10mA@1V|10@10A@1V|100@2A@1V|45@5A@1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

1.5W

Максимальное напряжение коллектор-база

-100 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

PNP

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Высота

1.6мм

Длина

4.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

2.6мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-0,215 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

2.1 W

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.05@500mA@5A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.11@200mA@2A|0.215@500mA@5A|0.065@100mA@1A|0.02@10mA@0.1A

Maximum DC Collector Current (A)

4.3

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

2100

Maximum Transition Frequency (MHz)

120(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-89

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.6(Max)

Package Length

4.6(Max)

Package Width

2.6(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Flat

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

4.3 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

120 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-89

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,05 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Supplier Temperature Grade

Commercial

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet ZXTP2012ZTA , pdf , 238 КБ
Datasheet ZXTP2012ZTA , pdf , 125 КБ
Datasheet ZXTP2012ZTA , pdf , 428 КБ
Datasheet ZXTP2012ZTA , pdf , 415 КБ
Datasheet , pdf , 239 КБ

ZXTP2012ZTA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 4,3А, 1,5Вт, SOT89 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация