IXTN660N04T4, Модуль, одиночный транзистор, 40В, 660А, SOT227B, Ugs ±15В, 1040Вт, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3480 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторные модули MOSFET

N-канал 40 В 660A (Tc) 1040 Вт (Tc) Монтаж на шасси SOT-227B

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTN660N04T4

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2162820

Технические параметры

Вес, г

30.01

Series

TrenchT4в„ў ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

660A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

860nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

44000pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

SOT-227-4, miniBLOC

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.85mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-227B

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±15V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

FET Feature

Current Sensing

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTN660N04T4 , pdf , 179 КБ

IXTN660N04T4, Модуль, одиночный транзистор, 40В, 660А, SOT227B, Ugs ±15В, 1040Вт - характеристики, поставщики

Последняя цена 3480 руб.

Техническая документация