ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMUN2134LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMUN2134LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMUN2134LT1G, Транзистор PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 246/400Вт, SOT23
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMUN2134LT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2162578
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.05
Base Product Number
MMUN2134 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
246mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Pd - рассеивание мощности
246 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.94 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MMUN2134L
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
22 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.47
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet MMUN2134LT1G , pdf
, 100 КБ
Datasheet , pdf
, 412 КБ
Datasheet , pdf
, 407 КБ