ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD140-16ST, Транзистор биполярный,PNP, 80В, 1,5А, 12,5Вт, TO126 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
BD140-16ST, Транзистор биполярный,PNP, 80В, 1,5А, 12,5Вт, TO126
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BD140-16ST, Транзистор биполярный,PNP, 80В, 1,5А, 12,5Вт, TO126
Последняя цена
71 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP THT
Транзисторы PNP общего назначения, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
BD140-16
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2162287
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.65
Base Product Number
BD140 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 2V, 150MA
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max
1.25W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-32
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Number of Elements per Chip
1
Length
7.8мм
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Maximum DC Collector Current
1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
100
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Pd - рассеивание мощности
1250 mW
Вид монтажа
Through Hole
Высота
10.8мм
Длина
7.8мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1.5 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2000
Серия
BD140
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
SOT-32-3
Ширина
2.7мм
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,25 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
1.5 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-32
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
BD139-16 , pdf
, 153 КБ
Datasheet , pdf
, 145 КБ