ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC869, Транзистор PNP, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC869, Транзистор PNP, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC869, Транзистор PNP, биполярный, 20В, 2А, 950мВт, SOT89
Последняя цена
62 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC869.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2159168
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.07
Base Product Number
BC869 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
140MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
1.2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Pd - Power Dissipation
1.2W
Максимальное напряжение коллектор-база
-32 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Pd - рассеивание мощности
500 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
85
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6мм
Другие названия товара №
933678780115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
50 at 5 mA, 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
140 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.6 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 V
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-89
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 298 КБ
Datasheet , pdf
, 1109 КБ
Datasheet , pdf
, 254 КБ
Datasheet , pdf
, 812 КБ