FQPF65N06, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 28,3А, 56Вт, TO220F, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 60V N-Channel QFET

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQPF65N06

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2158496

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.21

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

onsemi

Тип корпуса

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.16мм

Высота

9.19мм

Размеры

10.16 x 4.7 x 9.19мм

Id - непрерывный ток утечки

40 A

Pd - рассеивание мощности

56 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

40 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQPF6 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное рассеяние мощности

56 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

16 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1850 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

16 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

56W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

QFETВ® ->

Время нарастания

160 ns

Время спада

105 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

90 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Типичное время задержки включения

20 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

48 nC @ 10 V

Минимальное пороговое напряжение включения

Другие названия товара №

FQPF65N06_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 573 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 591 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 589 КБ
Datasheet FQPF65N06 , pdf , 682 КБ

FQPF65N06, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 28,3А, 56Вт, TO220F, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация