STP15NK50Z, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 8,8А, 160Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 250 до 650 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP15NK50Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2158297

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.97

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.6 mm

Height

15.75mm

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220

Width

4.6mm

Pin Count

Configuration

Single

Packaging

Tube

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP15NK50Z

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4 mm

Высота

9.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

160 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

12 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Package / Case

TO-220-3

Type

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

340 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Technology

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Power Dissipation

160 W

Series

MDmesh, SuperMESH

Maximum Drain Source Resistance

340 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Typical Turn-Off Delay Time

62 ns

Qg - заряд затвора

106 nC

Время нарастания

23 ns

Время спада

15 ns

Типичное время задержки выключения

62 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Rds On - Drain-Source Resistance

340 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

160 W

Factory Pack Quantity

1000

Fall Time

15 ns

Id - Continuous Drain Current

14 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

Through Hole

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

76 nC

Rise Time

23 ns

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

1 N-Channel

Unit Weight

0.050717 oz

Forward Transconductance - Min

12 S

Техническая документация

Datasheet , pdf , 485 КБ
stp15nk50z-1851447 , pdf , 485 КБ

STP15NK50Z, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 8,8А, 160Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация