ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC847B-7-F - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC847B-7-F
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC847B-7-F
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 200, корпус: SOT23, АБ
Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2158247
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.02
Base Product Number
BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
300MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,6 В
Length
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
300 мВт
Maximum DC Collector Current
100mA
Height
1.1мм
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 В
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
300mW
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Высота
1.1мм
Длина
3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,9 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1163 КБ
BC846...BC848 , pdf
, 300 КБ
