IXFP7N80P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 630 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFP7N80P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2157633

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.66мм

Brand

IXYS

Ширина

4.83мм

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFP7N80

Тип

Polar HiPerFET Power MOSFET

Торговая марка

IXYS

Длина

10.66 mm

Высота

9.15мм

Id - непрерывный ток утечки

7 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

1,44 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Материал транзистора

Кремний

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.44 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Maximum Continuous Drain Current

7 А

Series

HiperFET, Polar

Typical Gate Charge @ Vgs

32 нКл при 10 В

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

32 nC

Время нарастания

32 ns

Время спада

24 ns

Коммерческое обозначение

Polar, HiperFET

Типичное время задержки выключения

55 ns

Типичное время задержки при включении

28 ns

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet IXFP7N80P , pdf , 146 КБ

IXFP7N80P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 630 руб.

Техническая документация