ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN3R0-30MLC.115, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 70А, 88Вт, LFPAK33 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PSMN3R0-30MLC.115, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 70А, 88Вт, LFPAK33
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
PSMN3R0-30MLC.115, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 70А, 88Вт, LFPAK33
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-channel МОП-транзистор logic level LFPAK33
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PSMN3R0-30MLC.115
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2157581
Технические параметры
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
LFPAK33
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
0.06
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1500
Торговая марка
Nexperia
Id - непрерывный ток утечки
70 A
Pd - рассеивание мощности
88 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
LFPAK33-5
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.05 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
2.15 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
70A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
88W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
3.15mО© @ 25A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.15V @ 1mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Линейка Продукции
NextPower Series
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
70А
Пороговое Напряжение Vgs
1.74В
Рассеиваемая Мощность
88Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0027Ом
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet PSMN3R0-30MLC.115 , pdf
, 923 КБ
Datasheet , pdf
, 1122 КБ