FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 6,3А, 40Вт, DPAK, QFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 100 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 100 В, 10 А (Tc) 2,5 Вт (Ta), 40 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQD13N10LTM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2157482

Технические параметры

Вес, г

0.01

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

6.1мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

QFET

Длина

6.6мм

Высота

2.3мм

Размеры

6.6 x 6.1 x 2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

FQD1 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-Pak

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

2.5 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 V

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

400 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Series

QFETВ® ->

Типичное время задержки выключения

22 ns

Типичное время задержки включения

7.5 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8.7 nC @ 5 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

10A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1413 КБ
Datasheet FQD13N10LTM , pdf , 1396 КБ
Datasheet , pdf , 1232 КБ

FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 6,3А, 40Вт, DPAK, QFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 100 руб.

Техническая документация