BCP5616H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

NPN-транзисторы общего назначения, Infineon

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BCP5616H6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2156047

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.26

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,5 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Brand

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

80 В

Package Type

SOT-223

Pin Count

3 + Tab

Dimensions

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

SOT-223-4

Другие названия товара №

BCP 56-16 H6327 SP000748370

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

500 mV

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Техническая документация

Datasheet , pdf , 821 КБ

BCP5616H6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 39 руб.

Техническая документация