NTK3134NT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 640мА, 450мВт, SOT723, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 57 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 20V/6V N CH T1 890mA 0.3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

NTK3134NT1G

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2155919

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.03

Ширина

0.8 mm

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Package Length

1.2

Package Width

0.8

PCB changed

Package Height

0.5

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

550

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-723

Standard Package Name

SOT-723

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

NTK3134N

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor

Длина

1.2 mm

Высота

0.5 mm

Id - непрерывный ток утечки

890 mA

Pd - рассеивание мощности

550 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-723-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

350 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

450 mV

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Время нарастания

4.8 ns

Время спада

7.4 ns

Типичное время задержки выключения

17.3 ns

Типичное время задержки при включении

6.7 ns

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±6

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.89

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

350@4.5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

79@16V

Typical Fall Time (ns)

7.4

Typical Rise Time (ns)

4.8

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

17.3

Typical Turn-On Delay Time (ns)

6.7

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

1.2

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

500

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet NTK3134NT1G , pdf , 119 КБ
Datasheet NTK3134NT1G , pdf , 112 КБ

NTK3134NT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 640мА, 450мВт, SOT723 - характеристики, поставщики

Последняя цена 57 руб.

Техническая документация