FDD6N25TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 2,6А, 50мВт, TO252, UniFET™, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 250V N-CH МОП-транзистор

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDD6N25TM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2155847

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.38

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Ширина

6.22мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

UniFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

6.73мм

Высота

2.39мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Id - непрерывный ток утечки

4.4 A

Pd - рассеивание мощности

50 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

250 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5.5 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

4.4 A

Максимальное рассеяние мощности

50 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1.1 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

194 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

900 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

6 nC

Время нарастания

25 ns

Время спада

12 ns

Типичное время задержки выключения

7 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Типичное время задержки включения

10 нс

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet FDD6N25TM , pdf , 970 КБ
Datasheet FDD6N25TM , pdf , 985 КБ
Datasheet FDD6N25TM , pdf , 675 КБ

FDD6N25TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 2,6А, 50мВт, TO252, UniFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация