BUX85, Транзистор биполярный,NPN, 1кВ, 2А, 40Вт, TO66, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

Биполярные транзисторы - BJT 2A 450V 50W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BUX85G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2154869

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

Base Product Number

BUX85 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

200ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 100mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

4MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

50W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

450V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

450 В

Maximum Power Dissipation

50 Вт

Maximum DC Collector Current

2 А

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Pd - рассеивание мощности

50 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.28мм

Длина

10.28мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

1 kV

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

450 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

BUX85

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.82мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

4 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальный пост. ток коллектора

2 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

4 MHz

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,1 В

Тип корпуса

TO-220AB

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,1 В

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet BUX85G , pdf , 217 КБ
Datasheet BUX85G , pdf , 214 КБ
Datasheet BUX85G , pdf , 67 КБ

BUX85, Транзистор биполярный,NPN, 1кВ, 2А, 40Вт, TO66 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация