IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 21А, 192Вт, PG-TO220, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 650 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPP60R165CPXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2154484

Технические параметры

Вес, г

2.07

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.36mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.57мм

Height

9.45mm

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Число контактов

Dimensions

10.36 x 4.57 x 9.45mm

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220

Width

4.57mm

Pin Count

Серия

CoolMOS CP

Минимальная рабочая температура

-55 C

Base Product Number

IPP60R165 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

21 А

Максимальное рассеяние мощности

192 Вт

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

192W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 12A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 790ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

21 A

Maximum Power Dissipation

192 W

Series

CoolMOS CP

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Typical Turn-Off Delay Time

50 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 575 КБ

IPP60R165CPXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 21А, 192Вт, PG-TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 650 руб.

Техническая документация