STB80NF55L-06T4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, 300Вт, D2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB80NF55L-06T4

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2154041

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.97

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Ширина

9.35мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

10.4(Max)

Package Width

9.35(Max)

PCB changed

Package Height

4.6(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

300000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

D2PAK

Standard Package Name

TO-263

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STripFET II

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

4.6мм

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Id - непрерывный ток утечки

80 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

55 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Process Technology

STripFET II

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

7 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

4850 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6.5 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Время нарастания

180 ns

Время спада

80 ns

Коммерческое обозначение

STripFET

Типичное время задержки выключения

135 ns

Типичное время задержки при включении

32 ns

Типичное время задержки включения

32 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл при 5 В

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±16

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

6.5@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

100@5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

4850@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

180

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

135

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet STB80NF55L06T4 , pdf , 293 КБ
Datasheet , pdf , 399 КБ
Datasheet STB80NF55L-06T4 , pdf , 399 КБ

STB80NF55L-06T4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, 300Вт, D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация