MMBTA28, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 350мВт, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN SMD

Транзисторы Дарлингтона NPN, Fairchild Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBTA28

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2153949

Технические параметры

Вес, г

0.02

Base Product Number

MMBTA28 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

800mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

125MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

350mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

3-SSOT

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100ВµA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.51mm

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

350 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Pin Count

Dimensions

2.51 x 1.4 x 1.02mm

Maximum Emitter Base Voltage

12 В

Minimum DC Current Gain

10000

Высота

1.02мм

Maximum Collector Cut-off Current

100нА

Maximum Continuous Collector Current

800 мА

Техническая документация

Datasheet , pdf , 361 КБ

MMBTA28, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 350мВт - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация