BST50.115, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 45В, 1А, 1,3Вт, SOT89-3, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 74 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN SMD

Транзисторы Дарлингтона, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BST50.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2153257

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.15

Base Product Number

BST50 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

200MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

1.3W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.3V @ 500ВµA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

4.6mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

UPAK

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

2.6mm

Height

1.6mm

Pin Count

Dimensions

4.6 x 2.6 x 1.6mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

60 в

Конфигурация транзистора

одинарный

Тип монтажа

поверхностный монтаж

Тип транзистора

npn

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.6 mm

Длина

4.6 mm

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Максимальный ток отсечки коллектора

0.05 uA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.6 mm

Другие названия товара №

933644250115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

1000

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.3 в

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 в

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 в

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.9 V

Тип корпуса

upak

Maximum Collector Cut-off Current

0.00005mA

Maximum Continuous Collector Current

1 A

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.9 в

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 a

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005ma

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 187 КБ
Datasheet , pdf , 124 КБ
Datasheet , pdf , 57 КБ
Datasheet BST50,115 , pdf , 54 КБ

BST50.115, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 45В, 1А, 1,3Вт, SOT89-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 74 руб.

Техническая документация