PXT2222A.115, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 600мА, 500мВт, SOT89, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

NPN-транзисторы общего назначения, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PXT2222A.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2153164

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.5

Base Product Number

PXT2222 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

600mA

Current - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

1.1W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

4.6mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

40 V

Package Type

SOT-89

Maximum Power Dissipation

1.1 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

2.6mm

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

1.6mm

Pin Count

Dimensions

4.6 x 2.6 x 1.6mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Pd - Power Dissipation

1.1W

Pd - рассеивание мощности

1100 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.6 mm

Длина

4.6 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-89-3

Ширина

2.6 mm

Другие названия товара №

PXT2222A T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

2 V

Техническая документация

Datasheet PXT2222A.115 , pdf , 773 КБ
Datasheet , pdf , 803 КБ

PXT2222A.115, Транзистор NPN, биполярный, 40В, 600мА, 500мВт, SOT89 - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация