ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTC115EU.115, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PDTC115EU.115, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTC115EU.115, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT323
Последняя цена
10 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PDTC115EU.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2152833
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.1
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Package Type
UMT
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.35мм
Pin Count
3
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
20 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-323-3
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
PDTC115EU T/R
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 V
Число контактов
3
Тип корпуса
UMT
Maximum Continuous Collector Current
20 мА
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Максимальный непрерывный ток коллектора
20 мА
Typical Input Resistor
100 кΩ
Типичный входной резистор
100 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
20 mA
Типичное входное сопротивление
100 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Typical Resistor Ratio
1
Типичный коэффициент резистора
1
Техническая документация
Datasheet PDTC115EU.115 , pdf
, 102 КБ
