ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFSL7434PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 226А, 294Вт, TO262 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFSL7434PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 226А, 294Вт, TO262
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IRFSL7434PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 226А, 294Вт, TO262
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 40 В, Infineon
Диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRFSL7434PBF
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2151858
Технические параметры
Вес, г
1.58
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Brand
Infineon
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ширина
4.83мм
Height
9.65mm
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Dimensions
10.67 x 4.83 x 9.65mm
Channel Type
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Transistor Configuration
Single
Package Type
I2PAK (TO-262)
Width
4.83mm
Pin Count
3
Серия
HEXFET
Длина
10.67мм
Высота
9.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальный непрерывный ток стока
320 A
Максимальное рассеяние мощности
294 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
1,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип канала
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
320 A
Maximum Power Dissipation
294 W
Series
HEXFET
Maximum Drain Source Resistance
1.8 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
216 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.3V
Typical Turn-On Delay Time
24 ns
Typical Turn-Off Delay Time
115 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
10820 pF @ 25 V
Типичный заряд затвора при Vgs
216 нКл при 10 В
Forward Transconductance
211s