STF6N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 2,9А, 20Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF6N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2151680

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Вес, г

1.7

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF6N60M2

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

4.5 A

Pd - рассеивание мощности

20 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF6 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

232pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

20W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў II Plus ->

Qg - заряд затвора

8 nC

Время нарастания

7.4 ns

Время спада

22.5 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

24 ns

Типичное время задержки при включении

9.5 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

20W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1110 КБ

STF6N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 2,9А, 20Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация