IXFH22N60P3, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 22A 500Вт 0,39Ом TO247AD, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 840 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH22N60P3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2151377

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.26mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

IXYS

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

5.3мм

Height

21.46mm

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-247

Width

5.3мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH22N60

Торговая марка

IXYS

Высота

21.46мм

Id - непрерывный ток утечки

22 A

Pd - рассеивание мощности

500 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

24 S, 14 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

360 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 11A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

22 A

Maximum Power Dissipation

500 W

Series

HiperFET, Polar3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

38 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Qg - заряд затвора

38 nC

Время нарастания

17 ns

Время спада

19 ns

Коммерческое обозначение

HiPerFET

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 183 КБ
Datasheet IXFH22N60P3 , pdf , 175 КБ
Datasheet IXFH22N60P3 , pdf , 353 КБ

IXFH22N60P3, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 22A 500Вт 0,39Ом TO247AD - характеристики, поставщики

Последняя цена 840 руб.

Техническая документация