IXTP2N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 2А, 55Вт, TO220AB, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2
Серия силовых МОП-транзисторов IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопротивление и заряд затвора по сравнению с более ранними поколениями силовых МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и увеличению операционная эффективность. Эти прочные устройства включают в себя внутренний диод и подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме. Полевые МОП-транзисторы класса X2 доступны в различных стандартных корпусах, включая изолированные типы, с номиналами до 120 А при 650 В. Типичные применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, приводы двигателей переменного и постоянного тока, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, солнечные инверторы, управление температурой и освещением.

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP2N65X2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2151099

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Brand

IXYS

Тип корпуса

TO-220

Ширина

15.9мм

Height

4.7mm

Maximum Drain Source Voltage

650 В

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220

Pin Count

Серия

X2-Class

Длина

10.3мм

Высота

4.7мм

Размеры

10.3 x 15.9 x 4.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

IXYS

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2 A

Максимальное рассеяние мощности

55 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

2,3 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

180 пФ при 25 В

Тип канала

Maximum Power Dissipation

55 W

Maximum Drain Source Resistance

2.3 Ω

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Forward Diode Voltage

1.4V

Типичное время задержки выключения

20 нс

Типичное время задержки включения

15 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4,3 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Прямая активная межэлектродная проводимость

1.8S

Прямое напряжение диода

1.4V

Техническая документация

Datasheet IXTP2N65X2 , pdf , 184 КБ

IXTP2N65X2, Транзистор N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 2А, 55Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация