PMBTA06.215, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 0,5А; 250мВт; SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Малосигнальные NPN-транзисторы

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PMBTA06.215

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2150991

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

NPN

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

80 В

Maximum DC Collector Current

500 мА

Pin Count

Dimensions

1 x 3 x 1.4мм

Maximum Emitter Base Voltage

4 В

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

250mW

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

4 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Другие названия товара №

PMBTA06 T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,25 В

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 175 КБ
Datasheet , pdf , 97 КБ

PMBTA06.215, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 0,5А; 250мВт; SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация