ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXTN4004KTC, Транзистор NPN, биполярный, 150В, 1А, 3,8Вт, DPAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXTN4004KTC, Транзистор NPN, биполярный, 150В, 1А, 3,8Вт, DPAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZXTN4004KTC, Транзистор NPN, биполярный, 150В, 1А, 3,8Вт, DPAK
Последняя цена
62 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные силовые транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXTN4004KTC
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2150975
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.1
Base Product Number
ZXTN4004 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 250mV
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max
3.8W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-252
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7мм
Maximum Collector Base Voltage
150 В
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
150 В
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
2.39мм
Maximum DC Collector Current
1 A
Dimensions
6.7 x 2.39 x 6.2мм
Maximum Emitter Base Voltage
7 В
Minimum DC Current Gain
60
Максимальное напряжение коллектор-база
150 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
6.7 x 2.39 x 6.2mm
Pd - рассеивание мощности
3.8 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
6.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
150 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
ZXTN4004
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
TO-252-3
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
150 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Число контактов
3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 536 КБ
Datasheet ZXTN4004KTC , pdf
, 496 КБ