ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP117G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 2Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP117G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 2Вт, TO220A…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP117G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 2А, 2Вт, TO220AB
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP THT
Биполярный (BJT) транзистор PNP - Darlington 100V 2A 2W Through Hole TO-220AB
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP117G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2150373
Технические параметры
Вес, г
2
Base Product Number
TIP117 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Brand
ON Semiconductor
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
50 Вт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
4.83mm
Maximum DC Collector Current
2A
Height
15.75мм
Pin Count
3
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Minimum DC Current Gain
500@2A@4V|1000@1A@4V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
2W
Максимальное напряжение коллектор-база
100 V dc
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип транзистора
PNP
Длина
10.53mm
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2.5@8mA@2A
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
Yes
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.28(Max)
Package Length
10.53(Max)
Package Width
4.83(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
2mA
Максимальный непрерывный ток коллектора
2 (Continuous) A, 4 (Peak) A
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
2
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
1000
Ток базы
50mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 296 КБ
Datasheet , pdf
, 143 КБ
Datasheet , pdf
, 146 КБ