ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RN1403, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SC59, R1 22кОм - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
RN1403, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SC59, R1 2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
RN1403, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SC59, R1 22кОм
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Транзистор со встроенным резистором, BRT Series S-MINI (SC-59), Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
RN1403(TE85L,F)
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2150127
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.03
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Toshiba
Maximum Collector Emitter Voltage
50 В
Package Type
SMini
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Minimum DC Current Gain
70
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Высота
1.1mm
Длина
2.9мм
Ширина
1.5mm
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Base-Emitter Resistor
22KΩ
Typical Input Resistor
22 kΩ
Typical Resistor Ratio
1