ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD47G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD47G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD47G
Последняя цена
56 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБ
Биполярный (BJT) транзистор NPN 250V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2149275
Технические параметры
Вес, г
0.587
Base Product Number
MJD47 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
200ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
10MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max
1.56W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 76 КБ
Datasheet , pdf
, 168 КБ
