TIP101G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 8А, 2Вт, TO220AB, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона NPN THT

• Дополнительное устройство
• Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

TIP101G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2149186

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

Base Product Number

TIP101 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 80mA, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V dc

Width

4.83мм

Maximum DC Collector Current

Height

15.75мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Minimum DC Current Gain

200

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

10.53 x 4.83 x 15.75мм

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Одиночный

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Максимальный ток отсечки коллектора

50 uA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

TIP101

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

20000

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Число контактов

Тип корпуса

TO-220

Максимальный непрерывный ток коллектора

8 A

Техническая документация

Datasheet , pdf , 293 КБ
Datasheet , pdf , 291 КБ
Datasheet , pdf , 133 КБ

TIP101G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 8А, 2Вт, TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация