CSD18537NKCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 94Вт, TO220-3, NexFET™, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD18537NKCS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2149022

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.96

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

NexFET

Торговая марка

Texas Instruments

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Размеры

10.67 x 4.7 x 16.51мм

Id - непрерывный ток утечки

56 A

Pd - рассеивание мощности

94 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

100 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

CSD18537 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

TubeTube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

Texas Instruments

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

54 A

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.6V

Максимальное сопротивление сток-исток

18 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1140 пФ при 30 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

14 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.6 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

94W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250ВµA

Qg - заряд затвора

14 nC

Время нарастания

3.2 ns

Время спада

3.9 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Типичное время задержки выключения

12,6 нс

Типичное время задержки при включении

4.5 ns

Типичное время задержки включения

4.5 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

14 nC @ 10 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Техническая документация

Datasheet CSD18537NKCS , pdf , 426 КБ

CSD18537NKCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 94Вт, TO220-3, NexFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация