FCPF1300N80Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,5А, 24Вт, TO220F, SuperFET®, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild добавила семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов SuperFET® II с использованием технологии Super Junction. Он обеспечивает лучшую в своем классе производительность корпусных диодов в импульсных источниках питания переменного и постоянного тока (SMPS), таких как серверы, телекоммуникации, вычислительная техника, промышленные источники питания, ИБП / ESS, солнечные инверторы, осветительные приборы, которые требуют высокой плотности мощности. , эффективность и надежность системы.
Используя передовую технологию балансировки заряда, разработчики достигают более эффективных, экономичных и высокопроизводительных решений, которые занимают меньше места на плате и повышают надежность.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FCPF1300N80Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2148234

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.76

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.9мм

Maximum Drain Source Voltage

800 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SuperFET II

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.36мм

Высота

16.07мм

Размеры

10.36 x 4.9 x 16.07мм

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

24 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FCPF1300 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

4 A

Максимальное рассеяние мощности

24 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

1,05 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

661 пФ при 100 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.3 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

24W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 2A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 400ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4 А

Maximum Power Dissipation

24 Вт

Series

SuperFET II

Maximum Drain Source Resistance

1,05 Ω

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Qg - заряд затвора

16.2 nC

Время нарастания

8.3 ns

Время спада

6 ns

Коммерческое обозначение

SuperFET II

Типичное время задержки выключения

33 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Типичное время задержки включения

14 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

16,2 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FCPF1300N80Z , pdf , 761 КБ
Datasheet , pdf , 759 КБ

FCPF1300N80Z, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,5А, 24Вт, TO220F, SuperFET® - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация