ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP8N65X2M, Транзистор N-MOSFET, 650В, 8А, 32Вт, TO220FP, 200нс - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP8N65X2M, Транзистор N-MOSFET, 650В, 8А, 32Вт, TO220FP, 200нс
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTP8N65X2M, Транзистор N-MOSFET, 650В, 8А, 32Вт, TO220FP, 200нс
Последняя цена
440 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2
Серия силовых МОП-транзисторов IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопротивление и заряд затвора по сравнению с более ранними поколениями силовых МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и увеличению операционная эффективность. Эти прочные устройства включают в себя внутренний диод и подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме. Полевые МОП-транзисторы класса X2 доступны в различных стандартных корпусах, включая изолированные типы, с номиналами до 120 А при 650 В. Типичные применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, приводы двигателей переменного и постоянного тока, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, солнечные инверторы, управление температурой и освещением.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP8N65X2M
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2146841
Технические параметры
Вес, г
2.5
Тип корпуса
TO-220F
Ширина
16.07мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
X2-Class
Длина
10.36мм
Высота
4.9мм
Размеры
10.36 x 16.07 x 4.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
IXYS
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное рассеяние мощности
32 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
800 пФ при 25 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
53 нс
Типичное время задержки включения
24 нс
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Прямая активная межэлектродная проводимость
8S
Прямое напряжение диода
1.4V
Техническая документация
Datasheet IXTP8N65X2M , pdf
, 117 КБ